一、产业链定位：专注宽禁带半导体材料
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核心产品：
- 导电型碳化硅衬底：主要用于新能源汽车、储能等领域的功率器件（如MOSFET）。
- 半绝缘型碳化硅衬底：主要用于5G通信、雷达等射频器件。
- 公司产品覆盖4英寸至8英寸衬底，逐步向大尺寸、低成本方向升级。
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技术壁垒：
- 碳化硅晶体生长难度高（高温长晶、晶格缺陷控制），行业具有 “高研发投入+长验证周期” 特征。
- 天岳在国内率先实现6英寸衬底量产，并持续推进8英寸研发，技术领先性显著。
二、商业模式：技术驱动的“研发-制造-销售”闭环
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研发与工艺创新：
- 采用 物理气相传输法（PVT） 自主生长晶体，通过工艺优化提升良率、降低单位成本。
- 研发投入占比长期超过10%（2022年研发费用占营收比例约12.5%），聚焦大尺寸衬底和缺陷控制。
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产能与制造模式：
- 以 自主生产 为主，在山东济南、上海临港等地建设产业化基地。
- 产能快速扩张：2023年上海工厂达产后，预计年产能将突破100万片（折合6英寸）。
- 生产模式兼顾 订单驱动 与 战略备货，以应对下游需求波动。
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客户与销售：
- 客户集中度高：前五大客户占比超50%，包括国内外知名器件厂商（如华为哈勃投资为其股东）。
- 绑定下游龙头：2023年与英飞凌签署长期供应协议，2022年与客户签订近14亿元导电型衬底订单，体现客户认可度。
- 定价策略：基于尺寸、电学性能分级定价，随规模效应逐步降价以拓展市场。
三、盈利模式：高毛利但受制于规模效应
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收入结构：
- 以衬底销售为主（占比超90%），半绝缘型衬底曾占主导，近年来导电型衬底占比快速提升。
- 未来增长动力：新能源汽车、光伏逆变器对导电型衬底的需求爆发。
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成本与毛利率：
- 主要成本为原材料（高纯碳粉、硅粉）、设备折旧及能耗。
- 毛利率受良率、产能利用率影响显著：2021年因产能爬坡毛利率下滑至14%，2023年随良率提升回升至30%以上。
四、竞争优势与风险
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核心优势：
- 国产替代标杆：打破海外垄断（科锐、II-VI），跻身全球碳化硅衬底第一梯队。
- 政策与资本支持：国家“十四五”重点扶持，IPO募资35亿元加速产能建设。
- 全产业链布局：从晶体生长、衬底加工到测试环节自主可控。
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风险挑战：
- 技术迭代风险：8英寸衬底研发落后于国际龙头，需持续追赶。
- 价格竞争压力：国内厂商（天科合达、烁科晶体等）加速扩产，可能引发价格战。
- 下游验证周期长：车规级认证需2-3年，客户切换成本高，新客户开拓需时间。
五、财务表现与战略方向
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近期业绩：
- 2023年营收同比增长约200%，净利润扭亏为盈，反映产能释放与需求增长共振。
- 经营性现金流改善，但资本开支仍高（扩产投入大）。
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战略布局：
- 纵向延伸：探索外延片环节，提升附加值。
- 海外拓展：积极开拓欧洲、日韩市场，降低地域集中风险。
- 生态合作：与三安光电、璞泰来等企业合作，强化产业链协同。
六、行业趋势关联性
- 碳化硅市场高速增长：Yole预测2027年全球碳化硅功率器件市场规模超60亿美元，衬底需求年复合增长率超30%。
- 天岳核心受益于：
- 新能源汽车800V高压平台普及（拉动导电型衬底需求）。
- 能源基础设施升级（光伏/储能逆变器采用SiC器件）。
总结：天岳先进的经营模式特点
- 技术密集型+重资产扩张：依赖持续研发和资本投入，通过规模效应降本。
- 需求驱动产能建设：绑定大客户长期订单，以销定产与战略备货结合。
- 国产替代逻辑明确：在国内碳中和与半导体自主可控政策下，占据先发优势。
未来需重点关注其 8英寸衬底进展、良率提升速度及下游客户拓展，这些将决定其能否在行业爆发期中持续扩大市场份额并实现盈利增长。